Novinka:Samsung: Begins Mass Producing World’s Fastest DRAM
(Kategória: Semiconductor-ZONE)
Zaslal EdizonTN
19.01.2016-08:20
Samsung spustil výrobu momentálne najrýchlejšej 4 GB DRAM pamäte, využívajúcej druhú generáciu vysoko priepustného rozhrania HBM2 (až 256GBps ). Vyrobené budú 20-nm technológiou.
HBM2 rozhranie je určené na 3D montáž - t.j. jednotlivé čipy sú na sebe (vertikálne) a sú priamo prepojené pomocou vodivých otvorov v nosnom kremíku.
Odkazy
Celá správa.
Táto novinka je z mikroZONE
( http://www.mikrozone.sk/news.php?extend.1106 )
(Kategória: Semiconductor-ZONE)
Zaslal EdizonTN
19.01.2016-08:20
Samsung spustil výrobu momentálne najrýchlejšej 4 GB DRAM pamäte, využívajúcej druhú generáciu vysoko priepustného rozhrania HBM2 (až 256GBps ). Vyrobené budú 20-nm technológiou.
HBM2 rozhranie je určené na 3D montáž - t.j. jednotlivé čipy sú na sebe (vertikálne) a sú priamo prepojené pomocou vodivých otvorov v nosnom kremíku.
src: Samsung
Odkazy
Celá správa.
Táto novinka je z mikroZONE
( http://www.mikrozone.sk/news.php?extend.1106 )